Представлена новая флэш-память 3D NAND от Intel и Micron
Новая технология, которая подразумевает использование большого количества слоев ячеек, наложенных друг на друга, позволит создать flash-носитель объемом более 10 ТБ.
Увеличенная ёмкость даёт возможность создавать накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 Тбайт для хранения данных и стандартные для ноутбуков 2,5" SSD накопители, на которых можно хранить более 10 Тбайт данных.
Более высокая ёмкость обеспечивается за счёт установки ячеек друг на друга, а значит размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Это позволит увеличить производительность и срок службы памяти.
Чтобы при использовании большого количества слоев избежать снижения качества производства и надежности работы памяти, инженеры Micron и Intel воспользовались ячейками с плавающим затвором
Выход продукции на рынок запланирован на конец этого - начало следующего года.
